市领导贺安杰、毛腾飞、何剑波，中国南车集团总裁刘化龙，以及工信部等国家相关部委、省直部门负责人到场祝贺。市委书记贺安杰希望南车株洲所以此为契机，再接再厉，为株洲乃至世界轨道交通发展，为推进株洲新型工业化进程作出更大贡献。
IGBT芯片技术含量极高，制造难度非常大，被业内誉为“皇冠上的明珠”，其研发、制造、应用是衡量一个国家科技创新和高端制造业水平的重要标志。过去，全球IGBT技术主要掌握在欧洲和日本等少数几个国家手中。中国的IGBT芯片及其相关产品99%以上依赖进口，国内在芯片、封装、装置、系统应用上还没有形成独立、完整的技术体系和产业体系。
6月20日，中国首条8英寸IGBT专业芯片线在中国南车株洲电力机车研究所有限公司建成，中国首片8英寸IGBT芯片同时下线。此举打破了国外在高端IGBT芯片技术上的垄断，对保障国民经济安全和推动两型建设具有重大战略意义。
IGBT即“绝缘栅双极型晶体管”，主要应用于船舶、高压电网、轨道交通等大功率电力驱动设备中。与微电子技术中芯片技术(通常所说的CPU)一样，IGBT芯片技术是电力电子行业中的“心脏”和“大脑”，控制并提供大功率的电力设备电能变换，可有效提升设备的能源利用效率、自动化和智能化水平。
为了实现“IGBT”国产化之梦，中国南车累计投入超过30亿元，上百位专家攻克了30多项重大难题，终于掌握了该器件的成套技术，建立了完整的IGBT规模化、专业化生产工业体系，成功研制出从650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模块，形成了IGBT的完整产业链。2011年5月，南车株洲所在田心高科园开工建设IGBT产业化基地，建设世界第二条8英寸IGBT专业芯片线。这条投资近15亿元的生产线，首期将实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100万只IGBT模块，真正实现IGBT的国产化。
中国工程院院士、南车株洲所总经理丁荣军说，据初步估算，如果将IGBT等电力电子技术应用到全国20%的电机中，每年可节约用电2000亿千瓦时，相当于2个三峡电站的年发电量。同时，高功率等级IGBT的自主研制成功，对于国家经济安全、国防安全具有至关重要的意义。
当天生产的首片8英寸IGBT芯片，移交中国科学技术馆收藏。