IRFHE4250D配备IR新一代硅技术，并采用了适合背面贴装的6×6PQFN顶部外露纤薄封装，为电源拈带来更多封装选择。这款封装结合了出色的散热性能、低导通电阻(Rds(on))与栅极电荷(Qg)，提供卓越的功率密度和较低的开关损耗，从而缩减电路板尺寸，提升整体系统效率。
IR推出IRFHE4250DFastIRFET双功率MOSFET，藉以扩充电源拈组件系列。新款25V器件在25A的电流下能够比其它顶级的传统电源拈产品减少5%以上的功率损耗，适用于12V输入DC-DC同步降压应用，包括先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本(Ultrabook)和笔记本电脑等。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“高达60A额定值的IRFHE4250DFastIRFETMOSFET是全球首款顶部外露电源拈器件，提供行业领先的功率密度，有效满足要求顶尖效率的高性能DC-DC应用。”
与IR的其它电源拈器件一样，IRFHE4250D可与各种控制器或驱动器共同操作，以提供设计灵活性，同时以小的占位面积实现更高的电流、效率和频率，还为IR电源拈带来全新的6×6PQFN封装选择。
IRFHE4250D符合工业标准及第二级湿度敏感度(MSL2)标准，并采用了6×6PQFN顶部外露封装，备有符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)的环保物料清单。
规格
器件编号 |
封装 |
电流额定值 |
在4.5V下的 典型/最高 导通电阻 |
在4.5V下的 典型QG (nC) |
在4.5V下的典型QGD (nC) |
IRFHE4250D |
PQFN 6mm × 6mm |
60A |
3.2 / 4.1 1.35 / 1.0 |
13 35 |
5. × 13 |